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1.3 C/I和功率的關系
改善C/I的方法有兩個：提高C或降低I。提高用戶感知還可以運用一些新功能，改善相同C/I情況下的MOS表現，如AMR、跳頻等。
（1）提高C的主要方法是提升功率、調整覆蓋、優化鄰區配置；
（2）降低I的主要方法是降低功率、調整覆蓋、優化頻率配置、控制外部干擾等。
功率調整最為糾結，增加功率即增加了C和I，增加單小區抗干擾能力的同時增加了全局干擾；減少功率降低I的同時也降低了C。
I由白噪聲、外部干擾（各類干擾設備）和內部干擾（頻率干擾和交調干擾）構成，可見在調整功率時主要影響的是內部干擾。下面模擬了一條C/I VS Lev的曲線做個簡單示意圖，如圖1所示：
其中，橫軸為全網的平均接收電平；縱軸為全網的平均C/I。圖1主要分為3個區、1個點，具體描述如下：
A區：此處屬于低功率區域，干擾主要由底噪、外部干擾強度決定，因此隨著電平功率的提升，C/I上升很快。
B區：隨著電平的升高，干擾的主要組成部分轉為網內干擾，電平功率的上升引起的C增加和I增加接近，C/I趨于穩定。
C區：網絡中的部分深度覆蓋或廣覆蓋區域的電平強度已經無法進一步提升，全網電平的提升是部分小區的提升貢獻的，對一個小區覆蓋而言，其主控面積遠小于干擾面積，因此在不能全網提升功率的情況下，C的增加速度會慢于I的增加速度，導致C/I的下降。而隨著平均電平的增加，功率受限區域也不斷增加，I的增加亦越來越快，C/I呈現加速下滑。目前大部分網絡運行在C區（以暴制暴的結果）。
P點：一定網絡狀態下的功率和C/I的最佳平衡點。在此點左邊，由于功率不足，載干比不高；在此點以右，干擾增加速度上升，載干比下降。
